半導体装置とその作製方法

Semiconductor device and its manufacturing method

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transistor with excellent characteristics.SOLUTION: For example, in the manufacture of a transistor with a bottom-gate and bottom-contact structure, a three-layer structure and two-step etching are employed for forming a conduction layer of a source and a drain. That is, a first etching step employs an etching method in which the etching rate to at least a second film and a third film is high, and the first etching step is continued until at least a first film is exposed. A second etching step employs an etching method in which the etching rate to the first film is higher than that in the first etching step and the etching rate to "the layer in contact with the bottom of the first film" is lower than that in the first etching step. A side wall of the second film is slightly removed when a resist mask is stripped by a resist stripping solution after the second etching step.
【課題】特性が良好なトランジスタを提供する。 【解決手段】例えば、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造のトランジスタを作製するに際して、ソースとドレインを構成する導電層を3層の積層構造とし、2段階のエッチングを行う。すなわち、第1のエッチング工程には、少なくとも第2の膜及び第3の膜に対するエッチングレートが高いエッチング方法を採用し、第1のエッチング工程は少なくとも第1の膜を露出するまで行う。第2のエッチング工程には、第1の膜に対するエッチングレートが第1のエッチング工程よりも高く、「第1の膜の下に接して設けられている層」に対するエッチングレートが第1のエッチング工程よりも低いエッチング方法を採用する。第2のエッチング工程後にレジストマスクをレジスト剥離液により剥離するに際し、第2の膜の側壁が少し削られる。 【選択図】図2

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